| 发明名称 | 形成半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 将衬底(155)放入电镀槽(19，59)中，测量槽(19，59)中的电流，将膜(110)镀到半导体器件衬底(155)上。在一个实施例中，用位于槽(19，59)内的检测阵列(57)测量电流，用测量结果控制电镀沉积参数。在另一个实施例中，用检测阵列(57)测量电流，用也位于电镀槽(19，59)内的相应的控制阵列(53)控制电镀膜(110)(110)的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1329946C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN00137087.1 | 申请日期 | 2000.12.29 |
| 申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | 格里高利·S·艾特令顿 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3205(2006.01);C25D3/00(2006.01);C25D7/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种将膜(110)镀到半导体器件衬底(155)上的方法，其特征在于：将衬底(155)的表面暴露于电镀槽(19，59)；在远离所述电镀槽内的阴极、阳极和所述衬底的至少一个第一位置测量第一电流，其中测量所述第一电流包括：使电镀液从电镀槽(19，59)流过传感器单元(20，30，44，62)；以及测量由所述电镀液流过传感器单元(20，30，44，62)所产生的信号；以及将膜(110)镀到半导体器件衬底(155)的表面上，其中所述阴极、阳极和衬底是独立的元件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||