镍－自对准硅化物工艺和利用该工艺制造半导体器件的方法

摘要

提供了镍-自对准硅化物工艺和利用该工艺的制造半导体器件的方法。镍-自对准硅化物工艺包括制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底。镍沉积在衬底上，并且在300℃至380℃的第一温度下退火镍以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并且在绝缘区上仅剩下未反应的镍层。选择性地除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层。随后，在比第一温度高的第二温度下对单镍单硅化物层进行退火，从而在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。

主权项

1.一种镍-自对准硅化物工艺，其包括：制备具有硅区和包含硅的绝缘区的衬底；在衬底上沉积镍；在300℃至380℃的第一温度下，对具有沉积镍的衬底进行第一退火工艺，以在硅区上选择性地形成单镍单硅化物层，并同时在绝缘区上仅剩下未反应的镍层；选择性除去未反应的镍层以暴露绝缘区，并且同时在硅区上仅剩下单镍单硅化物层；以及在高于第一温度的第二温度下对已除去未反应镍层的衬底进行第二退火工艺，以在没有单镍单硅化物层相变的情况下形成热稳定的单镍单硅化物层。