| 发明名称 | 包括金属栅电极的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 描述了一种半导体器件的制造方法。该方法包括在衬底上形成介电层和包括第一层和第二层的牺牲结构，使得第二层形成于第一层上并比第一层宽。在去除牺牲层以生成沟槽后，在沟槽中形成金属栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN101010798A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200580029796.2 | 申请日期 | 2005.09.02 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | J·布拉斯克;J·卡瓦利罗斯;M·多齐;S·达塔;U·沙阿;B·多勒;R·乔 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈斌 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成介电层；在所述介电层上形成包括第一层和第二层的牺牲结构，所述第二层形成于所述第一层上，且所述第二层比所述第一层宽；去除所述牺牲结构以生成沟槽；然后在所述沟槽中形成金属栅电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||