一种原位生长制备半导体纳米管的方法

摘要

一种制备半导体纳米管的方法，不必借助模板，能够在不同基底上原位生长出晶化程度良好的半导体纳米管，包括步骤：1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在一范围内使半导体纳米管生长，所述的温度范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。

主权项

1、一种制备半导体纳米管的方法，包括步骤：(1)将镀有金属薄膜的基底或金属箔放入可抽真空的容器中，抽真空后输入惰性气体和反应性气体的混合气，所述的反应性气体是能够和金属反应合成半导体的气体；(2)引入低温等离子体使反应性气体生成活性物种，同时将基底或金属箔的温度维持在特定范围内以生长半导体纳米管，所述的特定范围不低于200℃，不高于该基底上的金属薄膜或金属箔的熔点以上200℃，所述的半导体的阳离子来自金属箔或金属薄膜，阴离子来自反应性气体；(3)保持混合气的输入，直至反应进行完全后结束。