| 发明名称 | 用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于集成电路引线框架的合金材料及其制备方法。所说的合金材料由单质铜、单质钒和稀土元素组成，以所述铜合金的总重量为100％计，钒的含量为0.05wt％～5.00wt％，稀土元素的含量为0.01wt％～1.00wt％。其中，所说的稀土元素是指：镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素或钇元素，或两种或两种以上所说元素的混合。本发明首先制得中间合金Cu－V和Cu－RE，然后将单质铜在真空条件下熔化，并将制得的中间合金按照一定的重量分数添加到单质铜熔体中，经保温、浇注和铸后处理得Cu－V－RE合金。本发明制备的铜合金(Cu－V－RE)，其抗拉强度可达580Mpa，导电率可达80％IACS。 | ||
| 申请公布号 | CN101008056A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200710036662.4 | 申请日期 | 2007.01.19 |
| 申请人 | 华东理工大学 | 发明人 | 张修庆;叶以富;徐祖豪;顾小兰;邓鉴棋 |
| 分类号 | C22C9/00(2006.01);H01B1/02(2006.01);C22C1/03(2006.01);C22F1/08(2006.01) | 主分类号 | C22C9/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海顺华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 陈淑章 |
| 主权项 | 1、一种铜合金，其由单质铜、单质钒和稀土元素组成，以所述铜合金的总重量为100％计，钒的含量为0.05wt％～5.00wt％，稀土元素的含量为0.01wt％～1.00wt％；其中，所说的稀土元素是指：镧系中各元素、锕系中各元素、钪元素或钇元素，或两种或两种以上所说元素的混合。 | ||
| 地址 | 200237上海市徐汇区梅陇路130号 | ||