| 发明名称 | 化合物半导体发光器件 | ||
| 摘要 | 一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述的金属材料具有与GaN相差1.5×10<SUP>－6</SUP>/℃或更小的热膨胀系数。 | ||
| 申请公布号 | CN101010812A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200580028886.X | 申请日期 | 2005.08.30 |
| 申请人 | 住友化学株式会社 | 发明人 | 小野善伸;山中贞则 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述金属材料具有与GaN相差1.5×10-6/℃或更小的热膨胀系数。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||