| 发明名称 | 内联结构与其制造方法及集成电路组件 | ||
| 摘要 | 一种内联结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，其上具有第一导电层，以及形成一介电层于上述基底与上述第一导电层上，一开口形成于上述介电层中且延伸至上述第一导电层，经由上述开口将上述第一导电层的一部分移除，以形成一凹蚀处，此凹蚀处具有一大体上为曲型的轮廓，以第二导体层填充上述开口与上述凹蚀处。 | ||
| 申请公布号 | CN1329973C | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200410090425.2 | 申请日期 | 2004.11.18 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 周竣坚;李豫华;杨青天;赖嘉宏;许玉青;林睦益;曹敏;顾家有;范彧达 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李强 |
| 主权项 | 1.一种内联结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；形成一第一导电层于该半导体基底中；形成一介电层于上述第一导电层上；形成一开口于上述介电层中且延伸至上述第一导电层；经由上述开口移除上述第一导电层的一部分，以形成一凹蚀处，此凹蚀处具有一上为曲型的轮廓，其中该凹蚀处的曲型的轮廓被该第一导电层的边界包围；以及以第二导体层填充上述开口与上述凹蚀处。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||