| 发明名称 | SIMOX基板的制造方法以及由该方法得到的SIMOX基板 | ||
| 摘要 | 本发明可以有效地将因离子注入或高温热处理而产生的重金属污染捕获到体层内部。该方法包含向晶片11内部注入氧离子的步骤；在规定的气体气氛中，将晶片在1300－1390℃进行第1热处理，形成埋入氧化物层12，同时形成SOI层13的步骤，其中氧离子注入前的晶片具有9×10<SUP>17</SUP>－1.8×10<SUP>18</SUP>个原子/cm<SUP>3</SUP>(旧ASTM)的氧浓度，埋入氧化物层在晶片总体上或局部地形成，并且在氧离子注入步骤前或在氧离子注入步骤和第1热处理步骤之间包含用于在晶片内部形成氧析出核14b的第2热处理步骤和用于使在晶片内部形成的氧析出核14b生长为氧析出物14c的第3热处理步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101010805A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200580025113.6 | 申请日期 | 2005.05.19 |
| 申请人 | 株式会社上睦可 | 发明人 | 足立尚志 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/322(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 孙秀武;李平英 |
| 主权项 | 1.SIMOX基板的制造方法，该制造方法包含以下步骤：向硅晶片(11)的内部注入氧离子的氧离子注入步骤；和在氧和惰性气体的混合气体气氛中，将上述晶片(11)在1300-1390℃进行第1热处理，由此在距上述晶片(11)表面规定深度的区域形成埋入氧化物层(12)，同时在上述埋入氧化物层(12)上的晶片表面形成SOI层(13)的第1热处理步骤；其中上述氧离子注入之前的硅晶片(11)具有9×1017-1.8×1018个原子/cm3(旧ASTM)的氧浓度，上述埋入氧化物层(12)在晶片总体上或局部地形成；并且在上述氧离子注入步骤前或在上述氧离子注入步骤和上述第1热处理步骤之间包括用于在上述晶片(11)内部形成氧析出核(14b)的第2热处理步骤和在该第2热处理步骤之后接续的用于使在上述晶片(11)内部形成的氧析出核(14b)生长为氧析出物(14c)的第3热处理步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||