用于铜膜平面化的钝化化学机械抛光组合物

摘要

本发明公开了一种CMP组合物，其含有，例如，与氧化剂，螯合剂，研磨剂和溶剂组合的5-氨基四唑。这种CMP组合物有利地缺乏BTA，并对抛光半导体基材上铜元件的表面是有用的，而不会在抛光的铜中出现下陷或其他不利的平面化缺陷，甚至在CMP加工过程中，在铜/CMP组合物界面，本体CMP组合物有显著水平的铜离子，例如Cu²⁺存在下。

主权项

1.化学机械抛光组合物，包括5-氨基四唑和螯合剂，其中螯合剂包括至少一种选自甘氨酸，丝氨酸，脯氨酸，亮氨酸，丙氨酸，天冬酰胺，天冬氨酸，谷氨酰胺，缬氨酸和赖氨酸的氨基酸。