发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 一种能够防止电极端子与管芯焊盘之间的接触以及能够确保进行电极端子的导线接合的半导体器件。形成无源元件,使各电极端子的垂直高度高于元件部分的高度。更具体地,电极端子的每个横断面积均略大于元件部分的横断面积。因此,各电极端子的上部和下部略高于元件部分(从元件部分突出)。通过粘合剂固定无源元件,使元件部分定位于高位部分上,从而近似平行于衬底表面。此外,各电极端子的一部分(底部)分别定位于凹入部分内的各空间。因此,在各电极端子与管芯焊盘之间形成预定空间。
申请公布号 CN101009269A 申请公布日期 2007.08.01
申请号 CN200610077183.2 申请日期 2006.04.27
申请人 富士通株式会社 发明人 西村隆雄;平冈哲也
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 张龙哺
主权项 1.一种半导体器件,其由电绝缘密封件密封,该半导体器件包括:无源元件,其具有绝缘柱状体部分和设置于该柱状体部分的两轴端的一对电极端子;半导体元件,其通过接合线连接到至少一个所述电极端子;以及基础衬底,其形成有不与所述电极端子相接触的部分,其中所述无源元件和半导体元件均通过粘合层安装,且该柱状体部分被支撑为与衬底表面近似平行。
地址 日本神奈川县川崎市