| 发明名称 | 具有改进电特性的复合基片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有改进电特性的复合基片的制造方法，所述复合基片(4)包括至少一个插入在支撑基片(1)和半导体材料的活性层(21)之间的薄绝缘层(32)，其以如下顺序包含以下步骤：在源基片上形成或沉积绝缘层(32)，并且选择性地在所述支撑基片(1)上形成或沉积绝缘层(31)；对所述绝缘层(32)进行恢复热处理和选择性地对形成在所述支撑基片(1)上的所述绝缘层(31)进行恢复热处理；对将粘合在一起的两个面中的至少一个面进行等离子体活化；通过分子结合粘合两个基片，以使所述绝缘层(32)位于其间；和将部分所述源基片剥离，从而仅保留构成所述活性层(21)的材料的厚度。该方法可以制造具有改进电特性的基片(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN101009220A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200710004347.3 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 硅绝缘体技术有限公司 | 发明人 | 佛雷德里克·阿利伯特;塞巴斯蒂安·凯尔迪勒 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/762(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁香兰 |
| 主权项 | 1.一种具有改善的电特性的复合基片(4)的制造方法，所述类型的复合基片包含至少一个薄绝缘层(32)，所述薄绝缘层(32)插入在称为“支撑体”的第一基片(1)和称为“活性层”的半导体材料层(21)之间，其特征在于以如下顺序包含以下步骤：-在称为“源基片”的第二基片(2)上形成或沉积绝缘层(32)，并选择性地在所述支撑基片(1)上形成或沉积绝缘层(31)；-对所述绝缘层(32)进行恢复热处理和选择性地对形成在所述支撑基片(1)上的所述绝缘层(31)进行恢复热处理；-对将粘合在一起的两个面中的至少一个面进行等离子体活化，所述面选自所述源基片(2)的绝缘层(32)的正面(320)和所述支撑基片(1)的正面(10)或所述支撑基片(1)的绝缘层(31)的正面(310)；-通过分子结合使所述支撑基片(1)与所述源基片(2)粘合在一起，以使所述绝缘层(32)位于所述支撑基片(1)与所述源基片(2)之间；以及-将所述源基片(2)的称为“背部”的部分(23)剥离，从而仅保留构成所述活性层(21)的材料的厚度并制造所述复合基片(4)。 | ||
| 地址 | 法国克罗勒斯 | ||