半导体器件的制造方法

摘要

在切割装置(1)的外壳(8)的前面和背面设置照射波长为1.1μm以下光的照明设备(7a)、(7b)。然后，在将晶片载置于切割台(3a)上之后，用安装在主轴(5)上的刀片(4a)对晶片进行切割时，通过照明设备(7a)、(7b)将光照射到晶片上面(元件形成面)的整个面上。此时，使晶片的光照度为70勒克司以上2000勒克司以下。据此，在切割工作中就不会由于主轴(5)等而在晶片上形成成为影子的区域。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将完成了晶片工序的处理的半导体晶片设置在切割装置内，且配置在由半透明或遮光性的外壳所覆盖的切割处理部内的切割台上的步骤；(b)用保持为彼此侧面相对的第一切割刀片和第二切割刀片，一边向形成了具有以铝为主要成分的电极的半导体器件的、上述半导体晶片的第一主面上提供水或者以水为主要成分的药液，一边从上述第一主面一侧分两步对划线区域进行切割的步骤；在此，在上述(b)步骤中，上述第一主面保持为70勒克司以上的平均照度。