| 发明名称 | 用于预测热引起的衬底变形的方法和装置以及半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了用于校正热引起的光刻曝光衬底的区域变形的方法。第一，提供一种模型来预测热引起的多个衬底区域的区域变形信息。接着基于通过模型所预测的热引起的变形信息修改所使用的预先规定曝光信息以设置区域曝光。最后根据所修改的预先规定曝光信息将图形曝光到该区域上。通过模型预测热引起的区域变形信息包括预测衬底上选定点的变形效应。所述模型基于穿过衬底传输的能量的时间衰减特性和选定点与所述衬底边缘之间的距离。 | ||
| 申请公布号 | CN101008789A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200610064293.5 | 申请日期 | 2006.10.12 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | B·门克特奇科夫;F·E·德琼格 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);H01L21/027(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种用于预测热引起的待曝光光刻衬底的区域变形的方法，包括：提供预先规定的曝光信息；基于预先规定的曝光信息在已选定的衬底点处使用模型来预测热引起的区域变形；其中所述模型基于穿过所述衬底传输的能量随时间衰减特性；和在已选定点和所述衬底边缘之间的距离。 | ||
| 地址 | 荷兰费尔德霍芬 | ||