| 发明名称 | 半导体器件制造方法和抛光装置 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜，当在所述衬底表面和所述开口内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜，以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101009240A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200710004333.1 | 申请日期 | 2007.01.23 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 小寺雅子 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成其中限定有开口的阻挡金属膜；当在所述衬底的表面和所述开口的内壁上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜；以及抛光所述含铜膜和所述阻挡金属膜，而在暴露所述含铜膜和所述阻挡金属膜的状态下对所述衬底施加电压。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||