半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种在具备焊锡球的半导体器件中，不使探针与焊锡球接触即可进行预烧的制造方法。在晶片状态的半导体器件(1)上形成柱状电极(9)和密封膜(10)之后，使探针(23)与柱状电极(9)接触并进行预烧。接下来，在柱状电极(9)上形成焊锡球，并切割晶片状态的半导体基板(1)。结果是，可以防止由于探针(23)的接触而导致的焊锡球的不必要的变形。此外，即使焊锡球的高度上存在偏差，也可以进行预烧。

主权项

1、一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在设置了集成电路的半导体基板上设置绝缘膜，在所述绝缘膜上形成多个柱状电极及密封膜，以便在所述柱状电极周围的所述绝缘膜上使所述各柱状电极的上表面露出的工序；使所述柱状电极的上表面比所述密封膜的上表面低的工序；将前端部的面积比所述柱状电极的上表面的面积小的探针接触所述各个柱状电极的上表面，进行所述集成电路的预烧的工序；在所述预烧结束之后，在所述各柱状电极上形成焊锡层的工序；和切割所述半导体基板，获得单个半导体器件的工序。