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发明名称 Non volatile ferroelectric random access memory cell, layout structure of the same and array structure using the same
摘要
申请公布号 KR100744529(B1) 申请公布日期 2007.08.01
申请号 KR20020079736 申请日期 2002.12.13
申请人 发明人
分类号 G11C11/22 主分类号 G11C11/22
代理机构 代理人
主权项
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