| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供可降低由热处理半导体晶片导致的半导体晶片的翘曲量的半导体装置的制造方法。具有背面电极的半导体装置的制造方法，包含：准备具有表面和背面的半导体晶片的工序；在该半导体晶片的背面形成第1金属层，通过热处理在该半导体晶片和该第1金属层之间形成欧姆连接的热处理工序；在该热处理工序后，在该半导体基板的背面上形成Ni组成的第2金属层的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN101009221A | 申请公布日期 | 2007.08.01 |
| 申请号 | CN200610063646.X | 申请日期 | 2006.12.29 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 松村民雄;辻野忠 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 曾祥夌;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，是具有背面电极的半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：准备具备表面和背面的半导体晶片的工序；在该半导体晶片的背面形成第1金属层，通过热处理在该半导体晶片和该第1金属层之间形成欧姆连接的热处理工序；在该热处理工序后，在该半导体基板的背面上形成Ni组成的第2金属层的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||