发明名称 |
像素结构的制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种像素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,提供一形成有一有源元件的基板并形成一覆盖有源元件的介电层。在有源元件上方形成一具有一开口且不同厚度的第一光致抗蚀剂层。在进行一蚀刻工艺以经由开口在介电层中形成一接触窗后,减少第一光致抗蚀剂层的厚度,移除部分第一光致抗蚀剂层并暴露出部分介电层。接着,形成一覆盖部分介电层及剩余第一光致抗蚀剂层的透明导电层,且其经由接触窗连接有源元件。在移除剩余的第一光致抗蚀剂层上的透明导电层后,部分介电层上的透明导电层即构成一像素电极。最后,移除剩余的第一光致抗蚀剂层。由于该方法使用的掩模数少,可以降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN101009252A |
申请公布日期 |
2007.08.01 |
申请号 |
CN200710007902.8 |
申请日期 |
2007.01.30 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
石志鸿;杨智钧;黄明远 |
分类号 |
H01L21/84(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/84(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈晨 |
主权项 |
1.一种像素结构的制作方法,包括:提供一基板,且该基板上已形成有一有源元件;在该基板上形成一介电层,使其覆盖该有源元件;在该介电层上形成一第一光致抗蚀剂层,其中该第一光致抗蚀剂层具有不同的厚度变化,且该第一光致抗蚀剂层具有位于该有源元件上方的一开口;以该第一光致抗蚀剂层为掩模进行一蚀刻工艺,以经由该开口在该介电层中形成一接触窗;减少该第一光致抗蚀剂层的厚度,以移除一部分的该第一光致抗蚀剂层,而暴露出一部分的该介电层;形成一透明导电层,以覆盖该部分的介电层以及剩余的该第一光致抗蚀剂层,且该透明导电层经由该接触窗连接至该有源元件;移除剩余的该第一光致抗蚀剂层上的该透明导电层,使得位于该部分的介电层上的该透明导电层构成一像素电极;以及移除剩余的该第一光致抗蚀剂层。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |