发明名称 |
一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法,包括如下步骤:1)根据需要,设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构;2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上,使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性;3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构;4)设置聚焦离子束系统的工作参数;调控聚焦离子束,得到所需刻蚀精度要求的离子束探针;在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。本发明以聚焦离子束刻蚀技术的一次性工艺步骤代替了传统的亚微米加工技术的一系列工艺步骤,既简化了工艺步骤,又可灵活快捷地得到复杂多变的各种光子晶体和光子准晶。 |
申请公布号 |
CN101008681A |
申请公布日期 |
2007.08.01 |
申请号 |
CN200710063105.1 |
申请日期 |
2007.01.26 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
章蓓;代涛;徐军 |
分类号 |
G02B1/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02B1/00(2006.01) |
代理机构 |
北京纪凯知识产权代理有限公司 |
代理人 |
关畅 |
主权项 |
1、一种制备二维光子晶体或光子准晶的方法,包括如下步骤:1)设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构;2)将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上,使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性;3)在样品的待加工区域生成光子晶体或光子准晶图形结构;4)设置聚焦离子束系统的工作参数;调控聚焦离子束,得到所需刻蚀精度要求的离子束探针;在样品的待加工区域直接刻蚀出所需的二维光子晶体或光子准晶。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |