发明名称 METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING SILICON WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR100743821(B1) 申请公布日期 2007.07.30
申请号 KR20057015590 申请日期 2005.08.23
申请人 发明人
分类号 H01L21/20;C30B15/00;C30B15/20;H01L27/12 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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