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L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite (4), comprenant au moins une couche mince d'isolant (32), intercalée entre un substrat support (1), et une couche active de matériau semi-conducteur (21).Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend, dans l'ordre qui suit, les étapes de :- formation ou dépôt d'une couche d'isolant (32) sur un substrat source et éventuellement d'une couche d'isolant (31) sur ledit substrat support (1),- traitement thermique de guérison de ladite couche d'isolant (32) et éventuellement de ladite couche d'isolant (31) formée sur le substrat support (1),- activation par plasma d'au moins l'une des deux faces à coller,- collage par adhésion moléculaire des deux substrats, de façon que ladite couche d'isolant (32) soit située entre eux,- retrait d'une partie dudit substrat source, de façon à ne conserver qu'une épaisseur de matériau constituant ladite couche active (21).Ce procédé permet d'obtenir un substrat (4) à propriétés électriques améliorées.
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