发明名称 MEMS SENSOR COMPRISING A DEFORMATION-FREE BACK ELECTRODE
摘要 <p>Es wird ein auf einem Basischip aufgebauter MEMS-Sensor mit kapazitiver Arbeitsweise vorgeschlagen, der einen strukturierten auf dem Basischip aufgebrachten Schichtaufbau aufweist. Im Schichtaufbau ist eine Ausnehmung erzeugt, in der die bewegliche Elektrode, beispielsweise eine Membran angeordnet ist. Die Ausnehmung wird von einer Deckschicht überspannt, die um die Ausnehmung herum auf dem Schichtaufbau aufliegt und die Rückelektrode umfasst.</p>
申请公布号 WO2007082662(A1) 申请公布日期 2007.07.26
申请号 WO2007EP00173 申请日期 2007.01.10
申请人 AUSTRIAMICROSYSTEMS AG;SCHRANK, FRANZ 发明人 SCHRANK, FRANZ
分类号 B81B3/00;H04R19/00 主分类号 B81B3/00
代理机构 代理人
主权项
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