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Die Erfindung bezieht sich auf einen internen Referenzspannungsgeneratorschaltkreis eines Halbleiterspeicherbauelements und auf ein Halbleiterspeicherbauelement. DOLLAR A Der interne Referenzspannungsgeneratorschaltkreis (23) eines Halbleiterspeicherbauelements (200), der eine Referenzspannung (VREF) für einen Eingabepuffer (21) zur Verfügung stellt, der ein Signal über einen Eingang (DQ) empfängt, an den ein On-Die-Abschlusswiderstand (RT) angeschlossen ist, umfasst: einen Spannungsteilerschaltkreis (231), der die Referenzspannung (VREF) ausgibt, indem er eine Versorgungsspannung (VCC) teilt, und einen Pull-Down-Treiber (233), der mit einem Ende des Spannungsteilerschaltkreises (231) verbunden ist, wobei der Pull-Down-Treiber (233) entsprechend einem Befehl (On/Off) angeschaltet oder abgeschaltet ist, der von außerhalb des Halbleiterspeicherbauelements (200) angelegt ist. DOLLAR A Verwendung z.B. in der Speichertechnologie.
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