| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是：在进行晶片的切割时，一边抑制刀片的孔眼堵塞，一边减小碎裂的尺寸。在切削晶片(34)时，使用包含粒度为#3000以上的磨粒、尖端部呈V字形的金属粘结刀片(31)，使V字形的肩部分深入到晶片(34)的表面下侧(从基板表面起算的深度Z2)进行切削。通过如此加工，切削阻力上升，可防止刀片的孔眼堵塞。由此，可一边防止刀片的孔眼堵塞，一边将碎裂的尺寸抑制得很小。 | ||
| 申请公布号 | CN101005021A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610171145.3 | 申请日期 | 2006.12.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 和泉直生 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01);H01L21/78(2006.01);B28D5/00(2006.01);B28D5/02(2006.01);B26D1/00(2006.01);B26D1/143(2006.01) | 主分类号 | H01L21/301(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 浦柏明;刘宗杰 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，利用刀片来切削基板，其特征在于，进行第1工序，其中使用磨粒的粒度为#3000以上、与行进方向垂直的剖面的尖端部平坦面的宽度为刀片宽度的40％以下的呈V字形的第1刀片，使上述V字形的肩部分比上述基板表面更深入内部侧，从而切削上述基板. | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||