介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法和单片陶瓷电容器

摘要

本发明提供具有不低于5,500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷，并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO₃系或(Ba，Ca)TiO₃系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成，并且具有由晶粒(21)和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2，并且在介电陶瓷的横截面中，在第一晶粒(21A)的不低于90％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的55％至85％，并且在第二晶粒(21B)的小于10％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的15％至45％。

主权项

1.介电陶瓷，其特征在于，具有包含由通式ABO3(其中A是Ba和Ca中的至少一种，而Ba是必不可少的，并且B是Ti、Zr和Hf中的至少一种，而Ti是必不可少的)表示的主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成，并且具有由包含所述ABO3作为主要组分的晶粒和占据在晶粒之间的晶粒间界构成的结构，其中当观察所述介电陶瓷的横截面时，满足这样的条件：55％至85％数量的所述晶粒中，所述稀土元素存在于各个晶粒的90％或更高的区域中，并且15％至45％数量的所述晶粒中，所述稀土元素存在于各个晶粒的小于10％的区域中，并且，所述晶粒间界中的稀土元素平均浓度与在所述晶粒内部的存在稀土元素的区域中的稀土元素平均浓度的摩尔比小于2。