非挥发性存储器与浮置栅极层的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，此方法先提供基底，并于基底上形成一层掩模层。之后，于掩模层与基底中形成隔离结构。接着，移除部分隔离结构，使隔离结构的顶面低于掩模层的顶面，以于掩模层之间形成凹陷。然后，在掩模层的侧壁形成间隙壁，并且于凹陷中填满绝缘层。继而，移除掩模层与间隙壁，形成暴露出基底的多个第一开口。接下来，于基底上形成一层穿隧介电层与一层第一导体层，第一导体层填满这些第一开口。其后，移除部分绝缘层，以于第一导体层之间形成多个第二开口。继之于基底上形成一层栅间介电层与一层第二导体层。然后图案化第二导体层与第一导体层。

主权项

1.一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供基底；于该基底上形成掩模层；于该掩模层与该基底中形成隔离结构；移除部分该隔离结构，以于该掩模层之间形成至少一凹陷；于该掩模层的侧壁形成间隙壁；于该凹陷中填满绝缘层；移除该掩模层与该间隙壁，形成第一开口，该第一开口暴露出该基底；于该基底上形成穿隧介电层；于该基底上形成第一导体层，填满该第一开口；移除部分该绝缘层，以于该第一导体层之间形成第二开口；于该基底上形成栅间介电层；于该栅间介电层上形成第二导体层；以及图案化该第二导体层与该第一导体层。