| 发明名称 | 多晶硅层以及薄膜晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅层的制造方法，其先提供一基板，此基板具有正面与背面。接着，依序形成缓冲层、非晶硅层与顶盖层于基板的正面上。再来，图形化顶盖层而形成一图形化顶盖层，其暴露出部分非晶硅层，其中所暴露出的部分非晶硅层的区域是一结晶开始区域。继之，形成金属催化剂层于图形化顶盖层上，且金属催化剂层与结晶开始区域中的非晶硅层接触。之后，对基板的背面进行激光加热制程，使非晶硅层自结晶开始区域结晶并转变成多晶硅层。此多晶硅层的制造方法可解决加热时间过长的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101005016A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610001055.X | 申请日期 | 2006.01.16 |
| 申请人 | 中华映管股份有限公司 | 发明人 | 杨芸佩;邓德华;施智仁;吕佳谦 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/268(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅层的制造方法，包括：提供一基板，该基板具有一正面与一背面；依序形成一缓冲层、一非晶硅层与一顶盖层于该基板的该正面上；图形化该顶盖层以形成一图形化顶盖层，并暴露出部分该非晶硅层，其中所暴露出的部分该非晶硅层的区域是一结晶开始区域；形成一金属催化剂层于该图形化顶盖层上，且该金属催化剂层与该结晶开始区域中的该非晶硅层接触；以及对该基板的该背面进行一激光加热制程，使该非晶硅层自该结晶开始区域结晶并转变成一多晶硅层。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||