一种晶圆曝光路径优化方法

摘要

本发明公开一种晶圆曝光路径优化方法。针对现有的“S”形、“Z”形曝光路径时间消耗大的问题，提供一种晶圆曝光路径优化方法，包括如下步骤：确定曝光场分布及曝光路径限制条件；根据曝光路径限制条件，生成初始曝光路径，计算耗时，并将该路径保存为较优路径；进入循环，通过局部路径修改，生成新的曝光路径，并根据曝光路径限制条件判断新路径是否合法，每生成一条合法路径，就计算该路径的耗时，并对比该路径的耗时与较优路径的耗时，若耗时减小则保存此路径为较优路径，若耗时增加则根据进一步的判据决定该路径的取舍，当满足循环退出条件时，退出循环。采用本发明的方法可快速获得优化的晶圆曝光路径，缩短曝光耗时，提高光刻机的产率。

主权项

1、一种晶圆曝光路径优化方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：(1)确定曝光场分布及曝光路径限制条件；(2)根据曝光路径限制条件，生成初始曝光路径，计算该路径的耗时，并将该路径保存为较优路径；(3)进入循环，通过局部路径修改，生成新的曝光路径，并根据曝光路径限制条件判断该新的曝光路径是否合法，每生成一条合法路径，就计算该路径的耗时，并对比该路径的耗时与较优路径的耗时，如果耗时减小则保存此路径为较优路径，如果耗时增加则根据进一步的判据决定该路径的取舍，当满足循环退出条件时，则退出循环。