| 发明名称 | 调整聚合物存储单元的编程阈值的系统及方法 | ||
| 摘要 | 提供调整与聚合物存储单元(215，640)操作相关之阈值的系统与方法，系通过在后制造阶段施加经调整之电场与/或电压脉冲宽度于该聚合物存储单元上。该编程阈值之客制化一般可在编程该存储单元之任一周期(215，640)获得，以增加电路设计之弹性。因此，本发明提供电流－电压值域，与/或频率－时间值域，以助于调整该聚合物存储单元(215，640)之编程阈值。 | ||
| 申请公布号 | CN101006516A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580027947.0 | 申请日期 | 2005.08.08 |
| 申请人 | 斯班逊有限公司 | 发明人 | S·斯皮策;J·H·克里格;D·豪恩 |
| 分类号 | G11C13/02(2006.01) | 主分类号 | G11C13/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1.一种设定存储装置的编程阈值的方法，包含：确定超出存储单元(215，640)擦除阈值(404)的擦除方向电压，以设定下一个编程阶段所需编程阈值，该存储单元(215，640)基于通过其无源层(203)与有源层(201)的离子移动而操作；以及通过施加该电压于该存储单元(215，640)上而擦除该存储单元。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||