垂直式快闪存储器的结构及其制造方法

摘要

一种垂直式快闪存储器结构及制造方法，利用蚀刻掩膜蚀刻底材形成凹陷区，并注入离子至凹陷区特定深度而形成漏极与源极区。回填第一绝缘材料全覆盖凹陷区，去除部分第一绝缘材料至底材表面，再蚀刻第一绝缘材料曝露部分凹陷区，残留部分第一绝缘材料于漏极与源极区。在曝露的凹陷区壁面形成氧化层，在该氧化层垂直表面形成硅颗粒作为浮置栅极，且在其上沉积第二绝缘层。并在其垂直表面形成控制极导电层作为控制极。在该凹陷区形成第三绝缘层，以CMP去除部分第三绝缘层至底材表面，以选择性蚀刻去除部分硅颗粒及控制极导电层，定义出通道长度。以第四绝缘层材料填入被蚀刻部分，再以CMP在其上形成导电层图案作为漏极电极。

主权项

1.一种形成垂直式快闪存储器的方法，其特征包括下列步骤：利用蚀刻掩膜蚀刻底材形成凹陷区域以利于制作漏极与源极区域；利用离子注入，注入离子进入该凹陷区域以及沟槽顶面的上述底材中特定深度以形成该漏极与源极区域；回填第一绝缘材料于该底材之上并完全覆盖该凹陷区域；去除凹陷区域以及沟槽顶面即底材上面的部分该第一绝缘材料以与该沟槽顶面齐平；继续蚀刻该上述第一绝缘材料以曝露出部分的凹陷区域侧壁以残留一部分该第一绝缘材料于该源极区域；形成氧化层在被曝露的该凹陷区域侧壁表面；形成散射状硅颗粒层于该氧化层的垂直表面上作为浮置栅极；沉积一第二绝缘层于该散射状硅颗粒层的垂直表面上；形成导电层于第二绝缘层垂直表面以作为控制极；形成第三绝缘层于该凹陷区域用以作为绝缘材料；以化学机械研磨法去除凹陷区域以及沟槽顶面即底材上面的部分第三绝缘层以与该沟槽顶面齐平；以及形成导电层图案于该底材之上作为漏极电极。