| 发明名称 | 用于优化等离子体室上部块的装置 | ||
| 摘要 | 描述了用于处理基板的等离子体处理系统。该等离子体处理系统包括下部块，其包括用于保持基板的卡盘。等离子体处理系统还包括感应线圈，被配置为生成电磁场，以生成用于处理基板的等离子体；以及优化的上部块，连接到下部块，该上部块还配置有加热和冷却系统。其中，通过优化的上部块基本上避免了电磁场对加热和冷却系统的影响，并且基本上可以由单人来操作优化的上部块。 | ||
| 申请公布号 | CN101006563A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580027668.4 | 申请日期 | 2005.06.14 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 莱奥纳尔·J·沙普尔斯;基思·科门丹特 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01);C23C16/00(2006.01);C23C16/505(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚;尚志峰 |
| 主权项 | 1.一种用于处理基板的等离子体处理系统，包括：下部块，包括用于保持所述基板的卡盘；感应线圈，被配置为产生电磁场，以生成用于处理所述基板的等离子体；以及优化的上部块，连接到所述下部块，所述上部块还配置有加热和冷却系统；其中，通过所述优化的上部块基本避免了所述电磁场对所述加热和冷却系统的影响，并且基本上可由单人操作所述优化的上部块。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||