发明名称 |
半导体激光装置及其制造方法和光学拾波装置 |
摘要 |
一种半导体激光装置,基部(23)以及罩(24)均由合成树脂形成。半导体激光芯片(21)搭载在具有用于向该半导体激光芯片(21)的周围散热的散热区域(42)的芯片搭载用的电极导线(22a)的一表面(41)上,由此,将半导体激光芯片(21)的热向芯片搭载用导线(22a)散热,另外,从散热区域(42)散热而抑制半导体激光芯片(21)的温度的上升,抑制半导体激光芯片(21)的寿命的下降。 |
申请公布号 |
CN101005192A |
申请公布日期 |
2007.07.25 |
申请号 |
CN200710003937.4 |
申请日期 |
2007.01.19 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
滨冈治 |
分类号 |
H01S5/02(2006.01);H01S5/022(2006.01);H01L33/00(2006.01);G11B7/125(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/02(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种半导体激光装置,其特征在于,包括:半导体激光芯片;多条电极导线,其具有导电性,并且包含搭载有半导体激光芯片的芯片搭载用的电极导线;基部,其具有搭载有半导体激光芯片的突出部,在埋入有各电极导线的状态下被保持,在突出部的基端部上形成有面对着从半导体激光芯片振荡出的激光的出射方向的阶梯面,由具有电绝缘性的合成树脂构成;以及罩,其面对着半导体激光芯片的出射端面而形成有开口,以在阶梯面上覆盖突出部的状态一体地与基部接合,由合成树脂构成,芯片搭载用的电极导线,从突出部露出一表面,该一表面在半导体激光芯片的周围具有比半导体激光芯片的搭载区域广的散热区域。 |
地址 |
日本大阪府 |