辨别不良图形节距以增进微影制程的方法

摘要

本发明提供在集成电路制造上辨别不良图形节距以增进微影制程的方法。在一定的照明条件下，可根据聚焦深度或关键尺寸一致性在一图形节距范围的变化决定不良而应受禁止的图形节距。进一步可在设计规则中限制不能使用禁止图形节距(forbidden pitches)，则不必使用下一代的曝光工具微影制程即能有足够共同制程空间(process window)以含盖处理关键尺寸越来越小的下一代组件。因此，能增进光学制程空间而使图案化制程的效果和芯片制造的合格率提升。

主权项

1、一种辨别出一不良图形节距以增进微影制程的方法，适用于当设计一光罩以通过使用一微影设备将对应符合一集成组件的微影图案从该光罩转移到一基材，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：(a)在一曝光照明条件之下，测量具有一图形节距的多个图形曝光所得的一聚焦深度，其中部分图形具有光学邻近修正图形；(b)依制程结果及需求判断设定聚焦深度至少一可容许下限；以及(c)若该聚焦深度低于该可容许下限，则确认该图形节距为一不良图形节距。