| 发明名称 | 形成T或伽玛形电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成精细T或伽玛形栅极电极的方法，包括：在半导体衬底上沉积第一绝缘层；在该第一绝缘层上涂覆具有彼此不同的敏感度的至少两个光致抗蚀剂层，且构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；关于栅极图案进行栅极凹进工艺；以及沉积栅极金属在该栅极图案上，并移除该光致抗蚀剂层。 | ||
| 申请公布号 | CN101005019A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610064335.5 | 申请日期 | 2006.11.29 |
| 申请人 | 韩国电子通信研究院 | 发明人 | 安浩均;林钟元;文载京;张宇镇;池弘九;金海天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种形成T或伽玛形栅极电极的方法，包括：第一步骤，在半导体衬底上沉积第一绝缘层；第二步骤，在该第一绝缘层上涂敷具有彼此不同敏感度的至少两光致抗蚀剂层，并构图该光致抗蚀剂层以具有不同尺寸的开口；第三步骤，使用该光致抗蚀剂层作为蚀刻掩模蚀刻该第一绝缘层以形成其中接触该衬底的部分比其上面的部分窄的台阶式孔，并移除该光致抗蚀剂层；第四步骤，在该第一绝缘层上形成光致抗蚀剂层，并在该光致抗蚀剂层中形成开口以具有T或伽玛形栅极头图案；第五步骤，关于该栅极图案进行栅极凹进工艺；以及第六步骤，在该栅极图案上沉积栅极金属，并移除该光致抗蚀剂层。 | ||
| 地址 | 韩国大田市 | ||