有可调透光率的嵌入式衰减相移掩模

摘要

可以独立地选取嵌入式衰减相移掩模(EAPSM)的衰减和相移性质。在挖去嵌入式相移层的区域时或之后，基片的曝光区被蚀刻到预定的深度。然后，嵌入式相移层的附加区域被曝光并修整到预定的厚度，用于提供所需的衰减量，其中基片的最终蚀刻深度可以补偿修整相移层造成的相对相移变化。于是，在单个EAPSM坯体上可以制作有多个单元的矩阵测试装置，该多个单元有不同的衰减度和/或相移量。

主权项

1.一种嵌入式衰减相移掩模，包括：半透明基片，叠加在基片上由相移和衰减材料制成的嵌入式相移层，和叠加在嵌入式相移层上的不透明材料层，其中不透明材料区被去除以确定电路图形；和在被去除的不透明材料区内，嵌入层的第一区被完全去除，嵌入层的第二区减薄到相当于预定衰减量的预定高度，和与嵌入层第二区相邻的基片区被蚀刻到预定的深度，其中传输通过嵌入式相移层第二区的辐射相对于传输通过第一区的辐射相移一个预定量。