| 发明名称 | 存储器结构、存储器装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种存储器结构、存储器装置及其制造方法。该方法包括，先提供一基底，其中在基底上形成有一介电层，接着，在介电层中形成一图案，然后，在图案中与介电层上形成非晶硅层，并将非晶硅层图案化，其中至少保留非晶硅层在图案上的部分以形成一电极。之后，在电极的侧壁上形成一间隙壁。继之，在电极的表面上与间隙壁的表面上形成一选择性半球面晶粒层。 | ||
| 申请公布号 | CN101005048A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610131786.6 | 申请日期 | 2006.10.12 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨明宗;廖万春;李盛进;陈筱玲;李健豪;徐士伟 |
| 分类号 | H01L21/8242(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L27/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8242(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储器装置的制造方法，至少包括：提供基底，其中在该基底上形成有介电层；在该介电层中形成图案；在该图案中与该介电层上形成非晶硅层，并将该非晶硅层图案化，其中至少保留该非晶硅层在该图案上的部分以形成电极；在该电极的侧壁上形成间隙壁；以及在该电极的表面上与该间隙壁的表面上形成选择性半球面晶粒层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||