发明名称 Method of forming a relaxed SiGe layer
摘要
申请公布号 EP1810320(A1) 申请公布日期 2007.07.25
申请号 EP20050797345 申请日期 2005.10.28
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. 发明人 PAWLAK, BARTLOMIEJ, J.;MEUNIER-BEILLARD, P.
分类号 H01L21/20;H01L29/10 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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