| 发明名称 | 低介电常数介电层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低介电常数介电层的形成方法，包括：于一衬底上形成一材料层，材料层包括一生孔剂散布于一未固化的基材中；以具有一第一波长的放射线照射材料层使未固化的基材内形成细孔；以及以一具有第二波长的放射线照射材料层。 | ||
| 申请公布号 | CN101005023A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710003848.X | 申请日期 | 2007.01.10 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈奕伊;包天一;郑双铭;余振华 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数介电层的形成方法，包括：于一衬底上形成一材料层，所述材料层包括一生孔剂散布于一未固化的矩阵中；以具有一第一波长的放射线照射所述材料层使所述未固化的矩阵内形成细孔；以及以一具有第二波长的放射线照射所述材料层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||