| 发明名称 | 等离子体处理装置和等离子体处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种以不阻碍等离子体流向非处理体的方式设置有气体喷射部件的等离子体处理装置。在微波等离子体处理装置(100)的梁(26)上，固定有多个具有喷射孔(A)的侧吹喷气管(27)和具有喷射孔(B)的冰柱喷气管(28)。第一气体供给部将氩气从喷射孔(A)喷射到介电体(31)附近。第二气体供给部将硅烷气体和氢气从喷射孔(B)喷射到气体不被过度分解的位置。由此，被喷射的各气体被透过各介电体元件(31a)的微波等离子体化。因为冰柱喷气管(28)位于不阻碍等离子体流向基板(G)的位置，所以离子、电子不易碰撞到冰柱喷气管(28)上。结果，能够抑制堆积在冰柱喷气管(28)上的反应生成物的量。 | ||
| 申请公布号 | CN101005007A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610137549.0 | 申请日期 | 2006.10.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 堀口贵弘 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/31(2006.01);H05H1/46(2006.01);C23C16/44(2006.01);C23C16/455(2006.01);H01J37/32(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：使在波导管中传播、通过槽的微波透过的介电体；设置在支撑所述介电体的梁的规定位置、具有第一喷射孔的多个第一气体喷射部件；以不阻碍等离子体流向非处理体的方式安装在所述梁的规定位置、具有位于第一喷射孔下方的第二喷射孔的多个第二气体喷射部件；将第一处理气体从所述各第一气体喷射部件的第一气体喷射孔喷射至处理室内的希望位置的第一气体供给部；将第二处理气体从所述各第二气体喷射部件的第二气体喷射孔喷射至第一处理气体喷射位置的下方位置的第二气体供给部；和通过所述微波，使所述第一处理气体和所述第二处理器体等离子体化，对被处理体进行等离子体处理的处理室。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||