发明名称 使用相互连接的三维层片将垂直封装的MOSFET和集成电路功率器件构建成集成模块
摘要 一种包括至少一个垂直堆叠在一个底部封装模块上的顶部封装模块的电子封装件,每个封装模块包括一个通过通路连接头和位于采用标准印刷电路板工艺制造的层压板上的连接头封装和连接的半导体芯片,其中,所述顶部和底部封装模块进一步构建成一个表面安装模块,以便方便地堆叠和安装到预先安排的电接触上,不必使用引线框架。至少有一个顶部和底部封装模块是包含至少两个半导体芯片的多芯片模块(MCM),至少有一个顶部和底部封装模块包括一个球栅阵列(BGA),以便表面安装到预先安排的电接触上,至少有一个顶部和底部封装模块包括在一个半导体芯片上的多个焊料凸块,以便表面安装到预先安排的电接触上。底部封装模块的层压板的热膨胀系数还进一步与印刷电路板(PCB)的热膨胀系数基本相同,从而使温度变化对表面安装到PCB上的影响不大。
申请公布号 CN101005062A 申请公布日期 2007.07.25
申请号 CN200610172039.7 申请日期 2006.12.21
申请人 万国半导体股份有限公司 发明人 孙明;何约瑟
分类号 H01L25/00(2006.01);H01L25/16(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L25/00(2006.01)
代理机构 上海新天专利代理有限公司 代理人 张静洁
主权项 1.一种连接至少一个垂直堆叠在底部封装模块上的顶部封装模块的电子封装件,其特征在于:每个所述的封装模块包括一个位于层压板上的半导体芯片,所述层压板具有一个贯穿所述层压板的通路连接头和分布在与所述通路连接头连接的所述层压板多层上的导电接触线;和每个所述的半导体芯片具有至少一个与分布在所述层压板不同层上的所述导电接触线连接的电极,与消散所述半导体产生的热量的所述通路连接头电连接。
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