| 发明名称 | 半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明可使半导体装置的制造良率提高。将用于形成栅极电极的侧壁绝缘膜的绝缘膜11堆积在半导体晶片1的主面上之后，对绝缘膜11进行膜厚分布均匀化处理。该处理中，在固定于蚀刻装置31的旋转台32上而旋转的半导体晶片1的上方，一面使蚀刻液用的喷嘴36从半导体晶片1的主面外周部侧向中心部侧移动，一面将蚀刻液37从蚀刻液用的喷嘴36供给到半导体晶片1的主面。蚀刻液用的喷嘴36的移动速度根据半导体晶片1上绝缘膜11的膜厚分布而控制，在半导体晶片1的半径方向上绝缘膜11的膜厚变化率较大的区域，使蚀刻液用的喷嘴36的移动速度慢于变化率较小的区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101005020A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710000957.6 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 田中博司 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方;刘国伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：(a)工序，准备半导体晶片；(b)工序，在上述半导体晶片的主面上形成栅极电极；(c)工序，在上述半导体晶片的上述主面上，以覆盖上述栅极电极的方式而形成第1绝缘膜；(d)工序，在上述(c)工序之后，对上述半导体晶片上的上述第1绝缘膜的膜厚分布进行修正；以及(e)工序，在上述(d)工序之后，对上述第1绝缘膜进行回蚀，以在上述栅极电极的侧壁上形成由上述第1绝缘膜所构成的侧壁绝缘膜，上述(d)工序中，使上述半导体晶片旋转，在旋转的上述半导体晶片的上方，一面使蚀刻液供给装置从上述半导体晶片的上述主面的外周部侧向中心部侧移动，一面将用以蚀刻上述第1绝缘膜的蚀刻液从上述蚀刻液供给装置供给到上述半导体晶片的上述主面，根据上述半导体晶片上的上述第1绝缘膜的膜厚分布，来控制上述蚀刻液供给装置的移动速度。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||