| 发明名称 | 单元和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单元，该单元包括多个扩散区对，每个扩散区对由作为晶体管的组成部分的第一掺杂扩散区、以及第二掺杂扩散区构成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有器件隔离区。在每个扩散区对中，第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极宽度方向上具有相同的长度，并且被设置在栅极宽度方向上的相同位置处；作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分具有恒定的间隔长度。在所述扩散区对中，第一隔离区部分具有相同的间隔长度。 | ||
| 申请公布号 | CN101005068A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710001254.5 | 申请日期 | 2007.01.11 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 中西和幸 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陆弋;朱登河 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件中的单元，包括多个扩散区对，每个扩散区对由作为晶体管的组成部分的第一掺杂扩散区、以及第二掺杂扩散区形成，使得第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极长度方向上并排设置，并且在两者之间插入有器件隔离区，其中，在每个扩散区对中，第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区在栅极宽度方向上具有相同的长度，并且被设置在栅极宽度方向上的相同位置处；以及作为器件隔离区在第一掺杂扩散区和第二掺杂扩散区之间的部分的第一隔离区部分具有恒定的间隔长度，并且其中所述扩散区对中的第一隔离区部分具有相同的间隔长度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||