| 发明名称 | 在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法，其包括：在衬底上形成硬掩膜，并且利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽，在硬掩膜之上和该沟槽中形成介电层，该介电层衬垫该沟槽。然后将导电材料涂敷在介电层之上，使得该导电材料覆盖在该硬掩膜之上并填充该沟槽，对该导电材料进行刻蚀以基本上使导电材料平坦。在即将把所有的导电材料从覆盖硬掩膜的介电层上去除之前，导电材料的刻蚀触发终点。对导电材料进行凹槽刻蚀，以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料，并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1328776C | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN02821836.1 | 申请日期 | 2002.10.30 |
| 申请人 | 拉姆研究公司 | 发明人 | 琳达·布拉里;瓦希德·瓦赫迪;爱瑞克·艾德博格;艾伦·米勒 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);H01L21/321(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种在衬底中进行凹槽刻蚀操作的方法，包括：a)在衬底上形成硬掩膜；b)利用该硬掩膜在衬底中刻蚀出沟槽；c)在该硬掩膜上和该沟槽中形成介电层，该介电层构造为衬垫该沟槽；d)将导电材料涂敷在介电层上，使得该导电材料覆盖该硬掩膜并填充该沟槽；e)对该导电材料进行刻蚀，以使导电材料平坦，该导电材料的刻蚀设置为，在即将从覆盖硬掩膜的介电层上去除所有的导电材料之前触发终点；并且f)对该导电材料进行凹槽刻蚀，以去除覆盖硬掩膜的介电层上的导电材料，并且从沟槽中去除至少一部分导电材料。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||