| 发明名称 | 相变存储器件及其编程方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器件包括：具有相变材料的存储单元；将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器，其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值；和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。 | ||
| 申请公布号 | CN101004947A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610064301.6 | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 赵栢衡;徐钟洙;李元奭 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种相变存储器件，包括：具有相变材料的存储单元；将逐级下降的置位电流提供给存储单元的写驱动器，其中逐级下降的置位电流包括多级连续减小的电流幅值；和控制写驱动器提供逐级下降的置位电流的持续时间的置位编程控制电路。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||