| 发明名称 | SiCOH膜的DUV激光退火及稳定性 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造包括Si，C，O和H原子(以后称为SiCOH)的介质膜的方法，该介质膜与包括没有进行本发明的深紫外(DUV)的现有技术SiCOH介质膜的现有技术介质膜相比提高了绝缘特性。提高的特性包括在没有对SiCOH介质膜的介电常数的不利影响(增加)下减小电流泄漏。根据本发明，通过对沉积的SiCOH介质膜进行DUV激光退火获得表现出泄漏电流减小和可靠性提高的SiCOH介质膜。本发明的DUV激光退火步骤可能从膜除去弱键合的碳，从而改善泄漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101006559A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580027486.7 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | A·C·卡勒伽里;S·A·科恩;F·E·多安 |
| 分类号 | H01L21/26(2006.01);H01L21/42(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01) | 主分类号 | H01L21/26(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;刘瑞东 |
| 主权项 | 1.一种形成介质膜的方法，包括如下步骤：在衬底表面上提供包括Si，C，O和H原子的介质膜；以及使用深紫外(DUV)激光器辐射所述介质膜以在所述介质膜内引起光化学反应，其与非DUV激光处理的SiCOH膜比较提高了膜的绝缘特性。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||