| 发明名称 | 一种用于辅助电荷存储器阵列的结构 | ||
| 摘要 | 一个辅助电荷存储器单元，包括一个晶体管，其包括，例如，一个p型衬底以及在p型衬底植入n+源极区域和n+漏极区域。栅极电极被形成在衬底以及部分源极和漏极区域上。该栅极电极包括陷获结构。该陷获结构在电性上被认为被分成两边。一边被当成辅助电荷端，通过陷获电子在该结构中，可以被固定在高电压。该电子被当成是辅助电荷。另一边可以被用来储存数据，是被当成数据端。介于辅助电荷端和数据端之间突变的电场，可以促进编程效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101005080A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200710002145.5 | 申请日期 | 2007.01.04 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 吴昭谊;李明修;郭明昌 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/792(2006.01);G11C16/02(2006.01);G11C16/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 韩宏 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器阵列，包括多个辅助电荷存储器单元，每一个该多个辅助电荷存储器单元包括：一个辅助电荷端和一个数据端；以及一个突变的电场区域，由该多个辅助电荷存储器单元的每个的辅助电荷端和数据端所形成，该辅助电荷存储器单元被排列成对，其中在一对辅助电荷存储器单元中的辅助电荷端是相邻的。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||