等离子体处理方法、等离子体处理装置和存储介质

摘要

本发明涉及一种等离子体处理方法，该方法在对SiOC膜等绝缘膜进行蚀刻时，将孔的口径和槽的宽度等控制在较小值。在进行蚀刻之前，将含有CF₄气体和CH₃F气体的处理气体等离子体化，利用该等离子体实施使堆积物附着在抗蚀剂掩模开口部的侧壁上、减小开口尺寸的前处理。另外，在对SiOC膜进行蚀刻时，将含有CF₄气体、CH₃F气体和氮气的处理气体等离子体化，向处理气氛供给用于等离子体化的第一高频，使供给的功率除以基板表面积的商值为1500W/70685.8mm²以上(300mm晶片的表面积)，对SiOC膜进行蚀刻。

主权项

1.一种等离子体处理方法，使用等离子体处理装置对基板进行处理，该等离子体处理装置具有与相互对置的上部电极和下部电极之一连接，用于向处理气氛供给第一高频，将处理气体等离子体化的第一高频电源，其特征在于，包括：将基板载置在下部电极上的工序，所述基板在由含有硅和氧的低介电常数膜构成的绝缘膜上叠层有抗蚀剂掩模；向处理气氛供给含有作为含碳和氟的化合物的CF类气体和CHxFy 气体的处理气体的工序，其中，x、y是合计为4的自然数；向处理气氛供给第一高频，将处理气体等离子体化，生成等离子体，使堆积物附着在抗蚀剂掩模的开口部的侧壁上，减小开口尺寸的工序；和此后利用等离子体对所述绝缘膜进行蚀刻的工序。