半导体存储器件

摘要

本发明的一个方面，半导体存储器件包括在半导体衬底之上排列的在行方向延伸的多条字线；在半导体衬底之上排列的、在正交于行方向的列方向延伸的多条位线；平行于多条位线排列的电源线；在半导体衬底上，在多条字线和多条位线的相交处形成的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个存储单元具有漏区和源区；和排列在电源线之下的长条形导电区。电源线与长条形导电区连接，该长条形导电区连接多个存储单元的源区。多个存储单元的每列漏区与多条位线之一连接，且多条字线用作多个存储单元的栅极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：排列在半导体衬底之上以行方向延伸的多条字线；排列在所述半导体衬底之上以正交于所述行方向的列方向延伸的多条位线；平行于所述多条位线排列的电源线；在所述半导体衬底上，在所述多条字线和所述多条位线的相交处形成的多个存储单元，所述多个存储单元中的每个存储单元具有漏区和源区；在所述电源线之下排列的长条形导电区；其中所述电源线与所述长条形导电区连接，该长条形导电区与所述多个存储单元的所述源区连接；所述多个存储单元的每一列的所述漏区与所述多条位线之一连接；以及所述多条字线用作所述多个存储单元的栅极。