| 发明名称 | 基于FET的核酸探测传感器 | ||
| 摘要 | 一种核酸探测传感器包括场效应晶体管、基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器，以及与目标核酸分子的对应一个杂交的并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式(ε<SUB>0</SUB>ε<SUB>r</SUB>k<SUB>B</SUB>T/e<SUP>2</SUP>n)<SUP>1/2</SUP>所获得的长度的量级，其中ε<SUB>0</SUB>是真空的介电常数，ε<SUB>r</SUB>是沟道区的相对介电常数，k<SUB>B</SUB>是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。 | ||
| 申请公布号 | CN101006338A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200580028101.9 | 申请日期 | 2005.10.14 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 大内真一 |
| 分类号 | G01N27/414(2006.01) | 主分类号 | G01N27/414(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 1.一种核酸探测传感器，包括：场效应晶体管；基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器；以及与目标核酸分子的对应一个杂交的、并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子，其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式所获得的长度的量级：(ε0εrkBT/e2n)1/2 其中ε0是真空的介电常数，εr是沟道区的相对介电常数，kB是玻尔兹曼常数，T是沟道区的绝对温度，e是元电荷，并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||