| 发明名称 | 半导体压阻式传感器及其操作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体压阻式传感器与一电路电性连接，半导体压阻式传感器包括一半导体基材、至少一压阻组件以及一导电材料层。半导体基材包括一悬膜与一基材，基材邻设于悬膜周缘；压阻组件设置于悬膜内，并与电路电性连接；导电材料层与悬膜电性连接。 | ||
| 申请公布号 | CN101005097A | 申请公布日期 | 2007.07.25 |
| 申请号 | CN200610005063.1 | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 台达电子工业股份有限公司 | 发明人 | 谢协伸;张恒中;李政璋;梁朝睿;陈煌坤;邢泰刚 |
| 分类号 | H01L29/84(2006.01);G01L9/00(2006.01);G01L9/06(2006.01);B81B7/02(2006.01) | 主分类号 | H01L29/84(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体压阻式传感器，与一电路电性连接，该半导体压阻式传感器包括：一半导体基材，包括一悬膜与一基材，该基材邻设于该悬膜周缘；至少一压阻组件，设置于该悬膜内，并与该电路电性连接；以及一导电材料层，与该悬膜电性连接。 | ||
| 地址 | 中国台湾桃园县 | ||